R6030ENXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 163.86 грн |
| 76+ | 162.83 грн |
| 100+ | 161.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6030ENXC7G за ціною від 97.60 грн до 340.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6030ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6030ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6030ENXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6030ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|