
R6030ENZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 624.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6030ENZ4C13 за ціною від 348.61 грн до 893.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6030ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6030ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6030ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|