R6030ENZC8 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 401.91 грн |
| 40+ | 361.84 грн |
| 50+ | 300.55 грн |
| 200+ | 276.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030ENZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-3PF, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції R6030ENZC8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030ENZC8 | ROHM Semiconductor |
 MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
R6030ENZC8 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6030ENZC8 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6030ENZC8 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)