R6030ENZC8

R6030ENZC8 Rohm Semiconductor


r6030enz-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+345.88 грн
40+311.39 грн
50+258.65 грн
200+237.67 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6030ENZC8 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6030ENZC8

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6030ENZC8 R6030ENZC8 Виробник : ROHM Semiconductor r6030enz-515183.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8 R6030ENZC8 Виробник : Rohm Semiconductor r6030enz-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8 R6030ENZC8 Виробник : Rohm Semiconductor TO3PF_Inner_Structure.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.