Технічний опис R6030JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції R6030JNXC7G за ціною від 238.38 грн до 620.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030JNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6030JNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6030JNXC7G | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6030JNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 490.67 грн |
| 31+ | 471.26 грн |
| 50+ | 443.35 грн |
| 100+ | 409.56 грн |
| 250+ | 361.66 грн |
| R6030JNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 576.39 грн |
| 10+ | 461.88 грн |
| 50+ | 413.60 грн |
| 100+ | 382.00 грн |
| R6030JNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 620.86 грн |
| 10+ | 407.51 грн |
| 50+ | 326.07 грн |
| 100+ | 281.42 грн |
| 500+ | 238.38 грн |