R6030JNZ4C13 ROHM SEMICONDUCTOR


datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 143mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+587.05 грн
5+477.81 грн
10+444.57 грн
30+407.17 грн
60+378.92 грн
120+349.84 грн
150+342.36 грн
300+324.08 грн
510+314.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6030JNZ4C13 ROHM SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247G, Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole.

Інші пропозиції R6030JNZ4C13 за ціною від 352.07 грн до 811.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.70 грн
30+421.75 грн
120+359.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.84 грн
10+476.34 грн
100+352.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+734.70 грн
30+421.75 грн
120+359.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+811.84 грн
10+476.34 грн
100+352.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.