Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6030JNZ4C13
R6030JNZ4C13

R6030JNZ4C13 ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 143mΩ
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.74 грн
5+476.74 грн
10+443.58 грн
30+406.27 грн
60+378.08 грн
120+349.06 грн
150+341.60 грн
300+323.36 грн
510+313.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6030JNZ4C13 ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 93W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R6030JNZ4C13 за ціною від 358.30 грн до 733.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6030jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
120+519.89 грн
270+470.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6030jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.06 грн
30+420.81 грн
120+358.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 ROHM 2785930.pdf Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6030jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6030jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 r6030jnz4c13-e.pdf
R6030JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
120+519.89 грн
270+470.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 r6030jnz4c13-e.pdf
R6030JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+733.06 грн
30+420.81 грн
120+358.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 datasheet?p=R6030JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030JNZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 2785930.pdf
R6030JNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 r6030jnz4c13-e.pdf
R6030JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13 r6030jnz4c13-e.pdf
R6030JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.