R6030KNXC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 201.54 грн |
| 78+ | 181.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 30, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 86, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 86, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R6030KNXC7G за ціною від 88.54 грн до 260.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030KNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6030KNXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6030KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 260.37 грн |
| 50+ | 127.21 грн |
| 100+ | 115.27 грн |
| 500+ | 88.54 грн |
| R6030KNXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)