Продукція > ROHM > R6030KNZ4C13
R6030KNZ4C13

R6030KNZ4C13 ROHM

datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+612.53 грн
5+493.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6030KNZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6030KNZ4C13 за ціною від 264.34 грн до 705.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6030knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+621.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.69 грн
30+373.73 грн
120+315.48 грн
510+264.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6030knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+698.85 грн
30+412.82 грн
50+411.81 грн
100+336.46 грн
200+297.95 грн
500+267.78 грн
600+266.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.53 грн
10+409.34 грн
100+300.17 грн
250+279.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6030KNZ4C13 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.