R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 647.82 грн |
| 30+ | 364.80 грн |
| 120+ | 307.94 грн |
| 510+ | 258.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6030KNZ4C13 за ціною від 310.15 грн до 812.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6030KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6030KNZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
R6030KNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6030KNZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 721.68 грн |
| R6030KNZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 812.07 грн |
| 30+ | 479.70 грн |
| 50+ | 478.52 грн |
| 100+ | 390.97 грн |
| 200+ | 346.22 грн |
| 500+ | 311.16 грн |
| 600+ | 310.15 грн |
| R6030KNZ4C13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6030KNZ4C13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)