R6035ENZ4C13 ROHM Semiconductor
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.80 грн |
| 10+ | 354.77 грн |
| 25+ | 266.81 грн |
| 100+ | 266.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035ENZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6035ENZ4C13 за ціною від 243.43 грн до 561.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6035ENZ4C13 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.092 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6035ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6035ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| R6035ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|