Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6035ENZ4C13
R6035ENZ4C13

R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6035ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.78 грн
30+319.77 грн
120+269.74 грн
510+225.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6035ENZ4C13 за ціною від 453.46 грн до 630.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6035enz4-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+630.63 грн
25+603.53 грн
50+580.54 грн
100+540.82 грн
250+485.56 грн
500+453.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6035enz4-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+630.63 грн
25+603.53 грн
50+580.54 грн
100+540.82 грн
250+485.56 грн
500+453.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6035ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 ROHM r6035enz4-e.pdf Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 r6035enz4-e.pdf
R6035ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+630.63 грн
25+603.53 грн
50+580.54 грн
100+540.82 грн
250+485.56 грн
500+453.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 r6035enz4-e.pdf
R6035ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+630.63 грн
25+603.53 грн
50+580.54 грн
100+540.82 грн
250+485.56 грн
500+453.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 datasheet?p=R6035ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6035ENZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13 r6035enz4-e.pdf
R6035ENZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.