R6035ENZC8 Rohm Semiconductor
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 494.19 грн |
| 26+ | 472.96 грн |
| 50+ | 454.93 грн |
| 100+ | 423.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035ENZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6035ENZC8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6035ENZC8 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PFPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
R6035ENZC8 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |