на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.32 грн |
| 10+ | 519.42 грн |
| 100+ | 373.36 грн |
| 500+ | 325.11 грн |
| 1000+ | 283.18 грн |
| 2000+ | 272.11 грн |
| 5000+ | 260.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor
Description: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V, Power Dissipation (Max): 347W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6035VNX3C16
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6035VNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WITPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V Power Dissipation (Max): 347W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |