R6035VNX3C16 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035VNX3C16 ROHM
Description: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 347W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm.
Інші пропозиції R6035VNX3C16
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6035VNX3C16 | ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6035VNX3C16 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE
MOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


