R6035VNX3C16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.87 грн |
| 50+ | 271.16 грн |
| 100+ | 260.38 грн |
| 500+ | 222.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035VNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V, Power Dissipation (Max): 347W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6035VNX3C16 за ціною від 241.46 грн до 540.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6035VNX3C16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|