
R6035VNXC7G Rohm Semiconductor

Description: 600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.02 грн |
50+ | 168.38 грн |
100+ | 94.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6035VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V, Power Dissipation (Max): 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6035VNXC7G за ціною від 193.48 грн до 468.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6035VNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|