R6038YNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.41 грн |
| 10+ | 300.03 грн |
| 100+ | 242.46 грн |
| 500+ | 198.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6038YNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6038YNXC7G за ціною від 190.91 грн до 430.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6038YNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6038YNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|