Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6038YNXC7G
R6038YNXC7G

R6038YNXC7G Rohm Semiconductor

r6038ynxc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.58 грн
10+284.83 грн
100+230.18 грн
500+188.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6038YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 81W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm.

Інші пропозиції R6038YNXC7G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6038YNXC7G R6038YNXC7G ROHM Semiconductor r6038ynxc7g-e.pdf MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7G R6038YNXC7G ROHM 4197362.pdf Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7G r6038ynxc7g-e.pdf
R6038YNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7G 4197362.pdf
R6038YNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.