
R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 611.84 грн |
25+ | 585.55 грн |
50+ | 563.24 грн |
100+ | 524.69 грн |
250+ | 471.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 495W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6042JNZ4C13 за ціною від 494.80 грн до 972.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 495W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6042JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V Power Dissipation (Max): 495W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6042JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |