R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 840.77 грн |
| 10+ | 694.20 грн |
| 100+ | 578.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції R6046FNZ1C9
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6046FNZ1C9 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6046FNZ1C9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)