R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1148.29 грн |
| 30+ | 680.04 грн |
| 120+ | 586.81 грн |
| 510+ | 511.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6047ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6047ENZ4C13 за ціною від 724.11 грн до 1228.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6047ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
R6047ENZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
R6047ENZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6047ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
R6047ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6047ENZ4C13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1228.89 грн |
| 10+ | 842.85 грн |
| 100+ | 724.11 грн |
| R6047ENZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6047ENZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6047ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6047ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6047ENZ4C13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




