
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 747.64 грн |
25+ | 713.12 грн |
50+ | 684.43 грн |
100+ | 636.71 грн |
250+ | 571.26 грн |
500+ | 533.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6047KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 481W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6047KNZ4C13 за ціною від 620.15 грн до 1143.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6047KNZ4C13 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 481W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6047KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6047KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6047KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
R6047KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |