Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6047KNZ4C13
R6047KNZ4C13

R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor

r6047knz4c13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+749.86 грн
25+715.24 грн
50+686.46 грн
100+638.60 грн
250+572.95 грн
500+534.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6047KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 481W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R6047KNZ4C13 за ціною від 985.07 грн до 1113.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6047KNZ4C13 R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6047KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.02 грн
10+985.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6047KNZ4C13 R6047KNZ4C13 ROHM 2821273.pdf Description: ROHM - R6047KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 481W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6047KNZ4C13 datasheet?p=R6047KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6047KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1113.02 грн
10+985.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6047KNZ4C13 2821273.pdf
R6047KNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6047KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 481W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.