Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6049YNXC7G
R6049YNXC7G

R6049YNXC7G Rohm Semiconductor

r6049ynxc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+344.72 грн
50+344.44 грн
100+308.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6049YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6049YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.082 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm.

Інші пропозиції R6049YNXC7G за ціною від 200.74 грн до 664.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6049YNXC7G R6049YNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6049YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 22A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.18 грн
10+348.03 грн
50+274.42 грн
100+235.52 грн
250+211.80 грн
500+200.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G R6049YNXC7G Rohm Semiconductor r6049ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+664.39 грн
26+561.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G R6049YNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6049YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G R6049YNXC7G ROHM r6049ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6049YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.082 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G datasheet?p=R6049YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6049YNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 22A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.18 грн
10+348.03 грн
50+274.42 грн
100+235.52 грн
250+211.80 грн
500+200.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G r6049ynxc7g-e.pdf
R6049YNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+664.39 грн
26+561.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G datasheet?p=R6049YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6049YNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNXC7G r6049ynxc7g-e.pdf
R6049YNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6049YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.082 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.