R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 580.81 грн |
| 10+ | 374.00 грн |
| 30+ | 317.31 грн |
| 120+ | 248.83 грн |
| 270+ | 227.29 грн |
| 510+ | 220.21 грн |
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Технічний опис R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 448W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6049YNZ4C13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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R6049YNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 448W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6049YNZ4C13 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 448W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 448W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)