R6055VNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.51 грн |
| 10+ | 208.85 грн |
| 50+ | 182.25 грн |
| 100+ | 163.31 грн |
| 250+ | 155.15 грн |
| 500+ | 153.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6055VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R6055VNXC7G за ціною від 307.12 грн до 718.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6055VNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6055VNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| R6055VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| R6055VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|