R6055VNXC7G

R6055VNXC7G Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6055VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.58 грн
10+211.82 грн
50+184.84 грн
100+165.62 грн
250+157.35 грн
500+155.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6055VNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції R6055VNXC7G за ціною від 311.48 грн до 728.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6055VNXC7G R6055VNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6055VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.40 грн
10+535.11 грн
100+387.25 грн
500+366.59 грн
1000+311.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G R6055VNXC7G Виробник : ROHM 3902922.pdf Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+728.89 грн
5+661.93 грн
10+594.10 грн
50+467.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6055vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+420.37 грн
31+402.31 грн
50+386.98 грн
100+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6055vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+608.58 грн
28+443.93 грн
50+393.91 грн
100+356.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.