R6055VNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.34 грн |
| 10+ | 214.94 грн |
| 50+ | 187.57 грн |
| 100+ | 168.07 грн |
| 250+ | 159.67 грн |
| 500+ | 154.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6055VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6055VNXC7G за ціною від 263.71 грн до 477.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6055VNXC7G | ROHM |
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6055VNXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| R6055VNXC7G |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 368.07 грн |
| 5+ | 367.26 грн |
| 10+ | 366.46 грн |
| 50+ | 333.55 грн |
| R6055VNXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 477.60 грн |
| 10+ | 348.52 грн |
| 100+ | 277.52 грн |
| 500+ | 269.23 грн |
| 1000+ | 263.71 грн |