Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6055VNXC7G
R6055VNXC7G

R6055VNXC7G Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6055VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.69 грн
10+214.46 грн
50+187.15 грн
100+167.70 грн
250+159.32 грн
500+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6055VNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6055VNXC7G за ціною від 411.54 грн до 702.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6055VNXC7G R6055VNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6055VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G R6055VNXC7G ROHM r6055vnxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G Rohm Semiconductor r6055vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+484.96 грн
31+464.12 грн
50+446.44 грн
100+415.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G Rohm Semiconductor r6055vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+702.08 грн
28+512.14 грн
50+454.43 грн
100+411.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G datasheet?p=R6055VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6055VNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G r6055vnxc7g-e.pdf
R6055VNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6055VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.071 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G r6055vnxc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+484.96 грн
31+464.12 грн
50+446.44 грн
100+415.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6055VNXC7G r6055vnxc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+702.08 грн
28+512.14 грн
50+454.43 грн
100+411.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.