R6055VNZ4C13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 622.41 грн |
| 5+ | 577.95 грн |
| 10+ | 533.50 грн |
| 50+ | 467.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6055VNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 543W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6055VNZ4C13 за ціною від 488.05 грн до 976.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6055VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6055VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6055VNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 650V 165A N-CH MOSFET |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|