R6061YNZ4C13 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 568W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6061YNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 568W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції R6061YNZ4C13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| R6061YNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6061YNZ4C13 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
MOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)