Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6070JNZ4C13
R6070JNZ4C13

R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6070JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 770W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.63 грн
30+554.33 грн
120+264.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6070JNZ4C13 за ціною від 492.19 грн до 954.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6070JNZ4C13 R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6070jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+660.03 грн
23+618.54 грн
50+609.11 грн
100+569.17 грн
200+516.91 грн
500+492.19 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor r6070jnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+954.54 грн
25+907.41 грн
50+863.06 грн
100+792.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 R6070JNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6070JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 R6070JNZ4C13 ROHM r6070jnz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 r6070jnz4c13-e.pdf
R6070JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+660.03 грн
23+618.54 грн
50+609.11 грн
100+569.17 грн
200+516.91 грн
500+492.19 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 r6070jnz4c13-e.pdf
R6070JNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+954.54 грн
25+907.41 грн
50+863.06 грн
100+792.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 datasheet?p=R6070JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6070JNZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6070JNZ4C13 r6070jnz4c13-e.pdf
R6070JNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.