R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 569.38 грн |
| 23+ | 533.59 грн |
| 50+ | 525.46 грн |
| 100+ | 491.00 грн |
| 200+ | 445.92 грн |
| 500+ | 424.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6070JNZ4C13 за ціною від 295.07 грн до 823.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6070JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITHPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 770W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6070JNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 770W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6070JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6070JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|