R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1037.19 грн |
| 15+ | 980.62 грн |
| 50+ | 868.41 грн |
| 100+ | 767.39 грн |
| 200+ | 681.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6076ENZ4C13 за ціною від 845.68 грн до 1111.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6076ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
R6076ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
R6076ENZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6076ENZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1096.79 грн |
| R6076ENZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1111.99 грн |
| 30+ | 845.68 грн |
| R6076ENZ4C13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)