Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6076KNZ4C13
R6076KNZ4C13

R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor

r6076knz4c13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+747.72 грн
20+720.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6076KNZ4C13 за ціною від 1162.33 грн до 1207.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6076knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1207.72 грн
120+1162.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 ROHM r6076knz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 ROHM Semiconductor r6076knz4c13-e-1873039.pdf MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 r6076knz4c13-e.pdf
R6076KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1207.72 грн
120+1162.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 r6076knz4c13-e.pdf
R6076KNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 r6076knz4c13-e-1873039.pdf
R6076KNZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.