R6076KNZ4C13

R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor


r6076knz4c13-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+643.47 грн
20+619.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6076KNZ4C13 за ціною від 889.75 грн до 1743.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6076knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1039.34 грн
120+1000.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 Виробник : ROHM r6076knz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1180.37 грн
5+998.02 грн
10+889.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor r6076knz4c13-e-1873039.pdf MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1743.16 грн
10+1584.74 грн
30+1316.35 грн
120+1176.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6076KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6076KNZ4C13 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076KNZ4C13 R6076KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6076KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.