Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6077VNZ4C13
R6077VNZ4C13

R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6077VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 77A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+852.40 грн
30+504.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6077VNZ4C13 за ціною від 474.41 грн до 1410.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6077VNZ4C13 R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor r6077vnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1150.34 грн
17+832.58 грн
50+727.92 грн
100+601.91 грн
200+515.23 грн
500+474.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor r6077vnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1171.69 грн
25+863.98 грн
50+834.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor r6077vnz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1410.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 R6077VNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6077VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 R6077VNZ4C13 ROHM r6077vnz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 r6077vnz4c13-e.pdf
R6077VNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1150.34 грн
17+832.58 грн
50+727.92 грн
100+601.91 грн
200+515.23 грн
500+474.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 r6077vnz4c13-e.pdf
R6077VNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1171.69 грн
25+863.98 грн
50+834.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 r6077vnz4c13-e.pdf
R6077VNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1410.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 datasheet?p=R6077VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6077VNZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6077VNZ4C13 r6077vnz4c13-e.pdf
R6077VNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.