R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 77A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 952.43 грн |
| 30+ | 564.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6077VNZ4C13 за ціною від 425.03 грн до 1354.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6077VNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.051 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 781W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6077VNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

