
R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 989.96 грн |
17+ | 716.50 грн |
50+ | 626.43 грн |
100+ | 517.99 грн |
200+ | 443.39 грн |
500+ | 408.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6077VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6077VNZ4C13 за ціною від 537.73 грн до 1241.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V Power Dissipation (Max): 781W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
R6077VNZ4C13 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 781W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
R6077VNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
R6077VNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|