Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6086YNZ4C13
R6086YNZ4C13

R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor

r6086ynz4c13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+813.91 грн
30+481.23 грн
120+434.93 грн
510+391.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.044 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 781W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

Інші пропозиції R6086YNZ4C13 за ціною від 403.85 грн до 1011.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6086YNZ4C13 R6086YNZ4C13 ROHM Semiconductor r6086ynz4c13-e.pdf MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+978.56 грн
25+581.92 грн
100+433.53 грн
250+432.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 R6086YNZ4C13 ROHM r6086ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.044 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 781W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.58 грн
5+836.00 грн
10+627.40 грн
50+446.48 грн
100+403.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 r6086ynz4c13-e.pdf
R6086YNZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+978.56 грн
25+581.92 грн
100+433.53 грн
250+432.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 r6086ynz4c13-e.pdf
R6086YNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.044 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 781W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1011.58 грн
5+836.00 грн
10+627.40 грн
50+446.48 грн
100+403.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.