R6086YNZ4C13

R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor


r6086ynz4c13-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+834.01 грн
30+493.11 грн
120+445.67 грн
510+401.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.036 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6086YNZ4C13 за ціною від 399.67 грн до 1042.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6086YNZ4C13 R6086YNZ4C13 Виробник : ROHM r6086ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.036 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.39 грн
5+984.56 грн
10+983.74 грн
50+501.95 грн
100+399.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 R6086YNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor r6086ynz4c13-e.pdf MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1042.83 грн
25+620.14 грн
100+462.01 грн
250+461.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6086ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+538.76 грн
25+515.61 грн
50+495.97 грн
100+462.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6086ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+787.15 грн
22+573.50 грн
50+509.21 грн
100+461.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.