R6086YNZC17 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1325.09 грн |
| 10+ | 1123.71 грн |
| 100+ | 971.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6086YNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 114W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції R6086YNZC17 за ціною від 1003.33 грн до 2236.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6086YNZC17 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
R6086YNZC17 | ROHM |
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 114W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| R6086YNZC17 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| R6086YNZC17 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 114W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 114W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1178.13 грн |
| 25+ | 1123.73 грн |
| 50+ | 1078.51 грн |
| 100+ | 1003.33 грн |
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2236.09 грн |
| 9+ | 1743.19 грн |
| 10+ | 1659.03 грн |
| 50+ | 1402.71 грн |
| 100+ | 1191.46 грн |