R6086YNZC17 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 114W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1288.64 грн |
| 5+ | 979.36 грн |
| 10+ | 898.02 грн |
| 50+ | 757.59 грн |
| 100+ | 645.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6086YNZC17 ROHM
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 114W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції R6086YNZC17 за ціною від 828.41 грн до 1399.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6086YNZC17 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6086YNZC17 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1328.04 грн |
| 10+ | 1126.22 грн |
| 100+ | 974.02 грн |
| R6086YNZC17 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1399.78 грн |
| 10+ | 1216.24 грн |
| 25+ | 1028.61 грн |
| 50+ | 971.31 грн |
| 100+ | 914.01 грн |
| 300+ | 885.02 грн |
| 600+ | 828.41 грн |