R6086YNZC17 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.036 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1027.47 грн |
| 5+ | 975.61 грн |
| 10+ | 923.74 грн |
| 50+ | 836.35 грн |
| 100+ | 751.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6086YNZC17 ROHM
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.036 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6086YNZC17 за ціною від 863.44 грн до 1924.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6086YNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6086YNZC17 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6086YNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| R6086YNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|