R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 141+ | 86.73 грн |
| 166+ | 73.74 грн |
| 181+ | 67.46 грн |
| 200+ | 61.62 грн |
| 500+ | 48.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6502END3TL1 за ціною від 29.94 грн до 96.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6502END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6502END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6502END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
R6502END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |