Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6502END3TL1
R6502END3TL1

R6502END3TL1 Rohm Semiconductor

r6502end3tl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+87.98 грн
166+74.81 грн
181+68.43 грн
200+62.51 грн
500+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6502END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6502END3TL1 за ціною від 30.27 грн до 128.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6502END3TL1 R6502END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6502END3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.57 грн
10+65.82 грн
100+51.20 грн
500+37.86 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6502END3TL1 R6502END3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6502END3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.28 грн
10+80.46 грн
100+46.47 грн
500+38.11 грн
1000+33.36 грн
2500+30.65 грн
5000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6502END3TL1 R6502END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6502end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6502END3TL1 R6502END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6502END3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.