R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.63 грн |
| 10+ | 64.52 грн |
| 100+ | 50.20 грн |
| 500+ | 37.11 грн |
| 1000+ | 33.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 26W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Інші пропозиції R6502END3TL1 за ціною від 30.44 грн до 128.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6502END3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 3477 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6502END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
R6502END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6502END3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 105.04 грн |
| 166+ | 89.32 грн |
| 181+ | 81.70 грн |
| 200+ | 74.63 грн |
| 500+ | 58.79 грн |
| R6502END3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.98 грн |
| 10+ | 80.90 грн |
| 100+ | 46.72 грн |
| 500+ | 38.32 грн |
| 1000+ | 33.54 грн |
| 2500+ | 30.82 грн |
| 5000+ | 30.44 грн |
| R6502END3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6502END3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6502END3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)