R6504END3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.56 грн |
| 13+ | 68.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6504END3TL1 ROHM
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 58W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6504END3TL1 за ціною від 44.84 грн до 154.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6504END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6504END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6504END3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A On-state resistance: 2.02Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
R6504END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A On-state resistance: 2.02Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |