R6504KNJTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 99.85 грн |
| 10+ | 87.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6504KNJTL ROHM
Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm.
Інші пропозиції R6504KNJTL за ціною від 120.19 грн до 150.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6504KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
R6504KNJTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| R6504KNJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 58W Gate charge: 10nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.05Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
R6504KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
R6504KNJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
товар відсутній |
|||||||
| R6504KNJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 58W Gate charge: 10nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.05Ω |
товар відсутній |