R6507ENXC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 112.21 грн |
| 159+ | 89.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6507ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Packaging: Tube, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack.
Інші пропозиції R6507ENXC7G за ціною від 46.38 грн до 127.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6507ENXC7G | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6507ENXC7G | Rohm Semiconductor |
Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6507ENXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6507ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.33 грн |
| 127+ | 112.09 грн |
| 250+ | 107.59 грн |
| 500+ | 100.01 грн |
| 1000+ | 89.58 грн |
| R6507ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.08 грн |
| 50+ | 77.90 грн |
| 100+ | 46.38 грн |
| R6507ENXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)