
R6507ENXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 96.56 грн |
159+ | 76.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6507ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6507ENXC7G за ціною від 47.51 грн до 158.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6507ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6507ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6507ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|