Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6507KND3TL1
R6507KND3TL1

R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.18 грн
10+99.69 грн
100+68.08 грн
500+51.20 грн
1000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 78W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 78W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm.

Інші пропозиції R6507KND3TL1 за ціною від 106.15 грн до 168.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6507KND3TL1 R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor r6507knd3tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.54 грн
91+155.58 грн
122+116.57 грн
200+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 R6507KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 R6507KND3TL1 ROHM datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor r6507knd3tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 R6507KND3TL1 ROHM datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 r6507knd3tl-e.pdf
R6507KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.54 грн
91+155.58 грн
122+116.57 грн
200+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6507KND3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6507KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 r6507knd3tl-e.pdf
R6507KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6507KND3TL1 datasheet?p=R6507KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6507KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.