R6507KNXC7G ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.62 грн |
| 10+ | 139.66 грн |
| 100+ | 88.32 грн |
| 500+ | 73.45 грн |
| 1000+ | 65.21 грн |
| 2000+ | 62.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6507KNXC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6507KNXC7G за ціною від 73.43 грн до 223.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6507KNXC7G | ROHM |
Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6507KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.56 грн |
| 10+ | 139.63 грн |
| 50+ | 107.10 грн |
| 100+ | 90.68 грн |
| 500+ | 73.43 грн |
| R6507KNXC7G |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6507KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6507KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)