R6509ENJTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 159.87 грн |
| 92+ | 153.78 грн |
| 100+ | 148.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
89 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6509ENJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA, Supplier Device Package: LPTS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6509ENJTL за ціною від 189.90 грн до 235.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6509ENJTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
R6509ENJTL | ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
R6509ENJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 94 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 94 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
R6509ENJTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
R6509ENJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, OberflächenmontageVerlustleistung: 94 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6509ENJTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 235.14 грн |
| 10+ | 189.90 грн |
| R6509ENJTL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6509ENJTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6509ENJTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6509ENJTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





