Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6509ENJTL
R6509ENJTL

R6509ENJTL Rohm Semiconductor

r6509enjtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6509ENJTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LPTS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції R6509ENJTL за ціною від 187.75 грн до 232.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6509ENJTL R6509ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6509ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.47 грн
10+187.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL R6509ENJTL ROHM Semiconductor r6509enjtl-e-1872964.pdf MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL R6509ENJTL ROHM 2821280.pdf Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL R6509ENJTL Rohm Semiconductor r6509enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL R6509ENJTL ROHM 2821280.pdf Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL datasheet?p=R6509ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6509ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.47 грн
10+187.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL r6509enjtl-e-1872964.pdf
R6509ENJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL 2821280.pdf
R6509ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL r6509enjtl-e.pdf
R6509ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTL 2821280.pdf
R6509ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.