Технічний опис R6509ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції R6509ENXC7G за ціною від 74.48 грн до 140.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6509ENXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWEInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6509ENXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6509ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 140.26 грн |
| 50+ | 82.96 грн |
| 100+ | 82.29 грн |
| 500+ | 74.48 грн |
| R6509ENXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)