Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6509KNJTL
R6509KNJTL

R6509KNJTL Rohm Semiconductor

r6509knjtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6509KNJTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 9, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 94, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 94, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції R6509KNJTL за ціною від 220.28 грн до 495.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6509KNJTL R6509KNJTL Rohm Semiconductor r6509knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.94 грн
10+220.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL R6509KNJTL Rohm Semiconductor r6509knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.02 грн
44+326.48 грн
54+264.01 грн
100+237.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL R6509KNJTL ROHM Semiconductor r6509knjtl-e-1873139.pdf MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL R6509KNJTL ROHM 2821281.pdf Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL R6509KNJTL ROHM 2821281.pdf Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL r6509knjtl-e.pdf
R6509KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.94 грн
10+220.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL r6509knjtl-e.pdf
R6509KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+495.02 грн
44+326.48 грн
54+264.01 грн
100+237.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL r6509knjtl-e-1873139.pdf
R6509KNJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL 2821281.pdf
R6509KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTL 2821281.pdf
R6509KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.