
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.82 грн |
10+ | 182.76 грн |
25+ | 106.67 грн |
100+ | 97.24 грн |
500+ | 84.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6509KNXC7G ROHM Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 27A, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції R6509KNXC7G за ціною від 111.01 грн до 238.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6509KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R6509KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
R6509KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: THT |
товару немає в наявності |