R6509KNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.74 грн |
| 50+ | 98.23 грн |
| 100+ | 92.14 грн |
| 500+ | 71.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6509KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6509KNXC7G за ціною від 80.00 грн до 221.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6509KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| R6509KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Kind of package: tube Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 1.1Ω Power dissipation: 48W Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |