R6509KNXC7G

R6509KNXC7G ROHM Semiconductor


r6509knx-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.82 грн
10+182.76 грн
25+106.67 грн
100+97.24 грн
500+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6509KNXC7G ROHM Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 27A, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції R6509KNXC7G за ціною від 111.01 грн до 238.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6509KNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6509knx-e.pdf Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.63 грн
10+206.51 грн
100+169.15 грн
500+135.13 грн
1000+113.97 грн
2000+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7G Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR r6509knx-e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7G Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR r6509knx-e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.