R6511END3TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6511END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6511END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 124W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6511END3TL1 за ціною від 77.32 грн до 244.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6511END3TL1 R6511END3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6511END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+157.88 грн
100+110.10 грн
500+84.18 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1 R6511END3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6511END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+168.31 грн
100+104.93 грн
250+100.10 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
2500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1 datasheet?p=R6511END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.88 грн
10+157.88 грн
100+110.10 грн
500+84.18 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1 datasheet?p=R6511END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.84 грн
10+168.31 грн
100+104.93 грн
250+100.10 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
2500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.