R6511KND3TL1

R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor


r6511knd3tl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.83 грн
118+103.71 грн
135+90.80 грн
200+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 124W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6511KND3TL1 за ціною від 67.22 грн до 224.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : ROHM r6511knd3tl-e.pdf Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.45 грн
10+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6511KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.87 грн
10+136.25 грн
100+95.17 грн
500+72.73 грн
1000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6511KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+147.21 грн
100+89.75 грн
500+74.30 грн
1000+69.01 грн
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6511knd3tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : ROHM r6511knd3tl-e.pdf Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1 R6511KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6511KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.