R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 128.47 грн |
| 118+ | 120.22 грн |
| 135+ | 105.26 грн |
| 200+ | 96.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 124W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 124W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.
Інші пропозиції R6511KND3TL1 за ціною від 69.27 грн до 204.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6511KND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET. |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
R6511KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 124W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
R6511KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 124W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6511KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.58 грн |
| 10+ | 127.79 грн |
| 100+ | 88.33 грн |
| 500+ | 69.27 грн |
| R6511KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.
MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6511KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6511KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6511KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)