Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6515ENJTL
R6515ENJTL

R6515ENJTL Rohm Semiconductor

r6515enjtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+343.73 грн
50+305.64 грн
100+248.03 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 43 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6515ENJTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 184W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA, Supplier Device Package: LPTS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6515ENJTL за ціною від 191.85 грн до 472.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6515ENJTL R6515ENJTL Rohm Semiconductor r6515enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+401.45 грн
100+290.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTL R6515ENJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6515ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+452.92 грн
10+401.46 грн
100+286.65 грн
500+248.28 грн
1000+206.15 грн
2000+194.86 грн
10000+191.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTL R6515ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6515ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.93 грн
10+305.65 грн
100+220.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTL r6515enjtl-e.pdf
R6515ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+401.45 грн
100+290.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTL datasheet?p=R6515ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6515ENJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+452.92 грн
10+401.46 грн
100+286.65 грн
500+248.28 грн
1000+206.15 грн
2000+194.86 грн
10000+191.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTL datasheet?p=R6515ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6515ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+472.93 грн
10+305.65 грн
100+220.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.