R6515ENXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 144.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6515ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6515ENXC7G за ціною від 113.37 грн до 346.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6515ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6515ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6515ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 45A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 45A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |