Технічний опис R6515ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6515ENXC7G за ціною від 111.92 грн до 402.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6515ENXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6515ENXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6515ENXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6515ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 336.31 грн |
| 50+ | 168.49 грн |
| 100+ | 154.80 грн |
| 500+ | 120.03 грн |
| 1000+ | 111.92 грн |
| R6515ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 402.62 грн |
| 66+ | 216.87 грн |
| 100+ | 199.89 грн |
| R6515ENXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)