R6515KNJTL

R6515KNJTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6515KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.27 грн
10+301.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6515KNJTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LPTS, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA, Power Dissipation (Max): 184W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції R6515KNJTL за ціною від 294.85 грн до 466.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6515KNJTL R6515KNJTL Виробник : ROHM Semiconductor r6515knjtl-e-1873274.pdf MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.50 грн
10+414.25 грн
25+340.05 грн
100+294.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTL R6515KNJTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6515KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.