R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 120+ | 103.97 грн |
| 133+ | 93.24 грн |
| 137+ | 90.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 161W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6515KNX3C16 за ціною від 109.12 грн до 142.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6515KNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED SPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6515KNX3C16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6515KNX3C16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
R6515KNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |