Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6515KNX3C16
R6515KNX3C16

R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor

r6515knx3c16-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.49 грн
133+91.91 грн
137+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 161W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6515KNX3C16 за ціною від 106.34 грн до 137.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
50+109.56 грн
100+106.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Виробник : ROHM r6515knx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.05 грн
10+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.33 грн
10+134.52 грн
25+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Виробник : Rohm Semiconductor r6515knx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.