R6520ENXC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 199.19 грн |
| 85+ | 167.36 грн |
| 100+ | 159.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6520ENXC7G за ціною від 159.67 грн до 375.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6520ENXC7G | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6520ENXC7G | Rohm Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6520ENXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6520ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 262.19 грн |
| 57+ | 252.20 грн |
| 100+ | 243.65 грн |
| R6520ENXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 375.83 грн |
| 50+ | 213.43 грн |
| 100+ | 203.65 грн |
| 500+ | 159.67 грн |
| R6520ENXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)