Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6520ENZ4C13
R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6520ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.96 грн
30+195.88 грн
120+179.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6520ENZ4C13 за ціною від 335.37 грн до 504.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6520ENZ4C13 R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6520enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+466.41 грн
32+446.36 грн
50+429.36 грн
100+399.98 грн
250+359.11 грн
500+335.37 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6520enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.45 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 R6520ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6520ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 R6520ENZ4C13 ROHM datasheet?p=R6520ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 r6520enz4c13-e.pdf
R6520ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+466.41 грн
32+446.36 грн
50+429.36 грн
100+399.98 грн
250+359.11 грн
500+335.37 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 r6520enz4c13-e.pdf
R6520ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+504.45 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 datasheet?p=R6520ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6520ENZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13 datasheet?p=R6520ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6520ENZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.