R6520KNJTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 294.73 грн |
| 50+ | 283.50 грн |
| 100+ | 273.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520KNJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LPTS, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції R6520KNJTL за ціною від 354.75 грн до 650.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6520KNJTL | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTSPackage / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
R6520KNJTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6520KNJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 438.60 грн |
| 10+ | 354.75 грн |
| R6520KNJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 650.60 грн |
| 33+ | 439.63 грн |
| 50+ | 364.20 грн |