R6520KNXC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 147.00 грн |
| 105+ | 135.24 грн |
| 108+ | 131.71 грн |
| 200+ | 125.87 грн |
| 500+ | 111.30 грн |
| 1000+ | 103.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції R6520KNXC7G за ціною від 145.31 грн до 405.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6520KNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SWDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6520KNXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6520KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.08 грн |
| 10+ | 259.95 грн |
| 50+ | 204.21 грн |
| 100+ | 174.80 грн |
| 500+ | 145.31 грн |
| R6520KNXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)