Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6520KNZ4C13
R6520KNZ4C13

R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6520KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+597.45 грн
30+459.07 грн
120+410.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції R6520KNZ4C13 за ціною від 814.43 грн до 961.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6520KNZ4C13 R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6520knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+961.76 грн
18+814.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13 R6520KNZ4C13 ROHM 2821288.pdf Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13 R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6520knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13 r6520knz4c13-e.pdf
R6520KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+961.76 грн
18+814.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13 2821288.pdf
R6520KNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13 r6520knz4c13-e.pdf
R6520KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.