
R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 613.57 грн |
30+ | 471.45 грн |
120+ | 421.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6520KNZ4C13 за ціною від 702.57 грн до 829.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6520KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
R6520KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
R6520KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |