Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6524ENZ4C13
R6524ENZ4C13

R6524ENZ4C13 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.26 грн
25+222.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6524ENZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6524ENZ4C13 за ціною від 181.27 грн до 503.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.31 грн
30+185.64 грн
120+181.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.90 грн
30+482.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 ROHM r6524enz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6524ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.31 грн
30+185.64 грн
120+181.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 r6524enz4c13-e.pdf
R6524ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+503.90 грн
30+482.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 r6524enz4c13-e.pdf
R6524ENZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 r6524enz4c13-e.pdf
R6524ENZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.