Продукція > ROHM > R6524ENZ4C13
R6524ENZ4C13

R6524ENZ4C13 ROHM

r6524enz4c13-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.03 грн
5+235.21 грн
10+234.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6524ENZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6524ENZ4C13 за ціною від 187.03 грн до 431.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.77 грн
25+224.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.41 грн
30+191.53 грн
120+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+431.81 грн
30+413.26 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.