R6530ENXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.92 грн |
| 50+ | 202.28 грн |
| 100+ | 197.58 грн |
| 500+ | 86.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6530ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6530ENXC7G за ціною від 250.43 грн до 295.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6530ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|